Mengapa kita beralih dari metode pemanasan menggunakan udara panas dalam proses manufaktur semikonduktor
Jika Anda pernah meluangkan waktu untuk memperbarui peralatan di ruang bersih, tentu Anda tahu betapa menyebalkannya proses pemanasan tersebut. Proses ini selalu terasa lambat dan merepotkan.
Banyak pabrik lama masih menggunakan metode pemanasan dengan udara panas. Masalahnya adalah proses ini membutuhkan dua langkah: pertama, memanaskan udara, lalu berharap agar panas tersebut dapat sampai ke substrat. Proses ini sangat lambat dan tidak efisien. Sejujurnya, hal ini sangat menjengkelkan ketika kita harus memenuhi tenggat waktu yang ditetapkan.
Itulah sebabnya banyak orang beralih ke metode pemanasan menggunakan gelombang inframerah pendek (Short-Wave Infrared/SWIR). Metode ini menghilangkan kebutuhan akan proses pemanasan udara terlebih dahulu.
Hentikan pemanasan udara
Coba bayangkan saja. Pemanasan menggunakan udara panas bergantung pada konveksi, yaitu menunggu hingga udara di sekitar cukup panas untuk meresap ke dalam wafer. Sedangkan metode IR tidak membutuhkan proses konveksi sama sekali. Metode ini menggunakan radiasi elektromagnetik untuk mengirim energi langsung ke bahan yang ingin dipanaskan. Dengan demikian, waktu yang dibutuhkan untuk memanaskan suatu bagian menjadi jauh lebih singkat.
Lebih banyak wafer, lebih sedikit ruang yang digunakan
Dengan menggunakan metode IR, area pemanasan dapat dikurangi secara signifikan. Karena panasnya sangat terfokus, Anda tidak perlu menggunakan ruang pemanasan yang besar lagi. Hal ini membuat ruang di pabrik menjadi lebih efisien.
Namun, keunggulan terbesarnya adalah kecepatan proses pemanasan. Bayangkanlah jika waktu pemanasan yang diperlukan dari 10 menit dikurangi menjadi 2 menit. Dengan demikian, Anda dapat memproduksi lebih banyak wafer setiap jam, tanpa perlu membeli atau memasang mesin-mesin baru.
Kenyataannya
IR bukanlah solusi ajaib. Metode ini juga memiliki kekurangan. Karena panasnya sangat terfokus, maka ada kemungkinan terjadi “bayangan” di beberapa bagian permukaan wafer. Jika bentuk wafernya tidak sempurna atau memiliki celah-celah, maka sinar IR mungkin tidak akan mencapai setiap bagian permukaan wafer. Dalam kasus seperti ini, Anda masih membutuhkan proses konveksi untuk mengisi celah-celah tersebut.
Selain itu, perlu diingat bahwa lampu berdaya tinggi ini akan sangat panas di ujung-ujungnya. Jika lampu tersebut digunakan 24/7, pastikan kabel dan kipas pendinginnya dalam kondisi baik. Jika tidak, konektor-konektor tersebut bisa rusak, sehingga proses produksi akan terhenti.