Hohe Präzision bei der Wärmebehandlung von Wafern im Infrarotbereich

Thu, 02 Jul 2026 02:28:29 +0800

Im Bereich der Lithografie ist eine Abweichung vonhalb eines Halbwinkels während des Trocknungsprozesses des Fotoleims kein unbedeutender Fehler. Diese Abweichung zeigt sich in schlechteren Ergebnissen bei den elektrischen Tests sowie in einem Anstieg der Partikelzahl – was wiederum zu zusätzlichen Bearbeitungsschritten führt. Die IR-Heizung muss nicht nur eine bestimmte Temperatur erreichen, sondern auch eine stabile, wiederholbare Wärmeabgabe über die gesamte Waferoberfläche gewährleisten – ohne dabei Kontaminationen zu verursachen.

Was wirklich zählt
Wir haben das IR-Heizsystem für Wafer so konzipiert, dass es Kurzwellen-Infrarotstrahler verwendet, die in einem Quarzmodul untergebracht sind. Dadurch wird eine schnelle Reaktion sowie eine präzise Temperaturregulierung ermöglicht. Auf einer 300-mm-Waferoberfläche halten wir die Temperaturkonstanz bei ±0,1 °C – die Wiederholgenauigkeit zwischen den einzelnen Prozessschritten liegt bei einigen Milligraden. Der Aufarbeitungsraum ist für Reinräume der Klassen 1 bis 100 geeignet; dabei werden Materialien mit geringer Gasemission verwendet sowie ein Partikelkontrollierter Luftstrom eingesetzt, um die Partikelzahl möglichst niedrig zu halten. Eine vollständige Partikelfreiheit ist kein Ziel an sich – sie hängt vielmehr vom Oberflächenfinish, den verwendeten Dichtungsmaterialien sowie von der Strategie zur Ableitung der Abgase ab, damit die Nebenprodukte des Fotoleims nicht erneut auf der Waferoberfläche abgelagert werden.

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Hohe Präzision bei der Wärmebehandlung von Wafern im Infrarotbereich